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BD244C

更新时间： 2024-02-19 14:56:08

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COMSET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	91K
描述
SILICON PNP POWER TRANSISTORS

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BD244C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	65 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD244C 数据手册

BD244 – A – B – C

SILICON PNP POWER TRANSISTORS

The BD244 series are PNP power transistors in a TO-220 envelope.

They are intended for use in medium power linear and switching applications.

The complementary is BD243, A, B, C

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BD244

-45

-60

-80

-100

-45

-60

-80

-100

-5.0

-6

BD244A

BD244B

BD244C

BD244

BD244A

BD244B

BD244C

V_CEO

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0mA)

V_CBO

Collector-Base Voltage (I_E= 0mA)

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage(I_C= 0mA)

Collector Current

Collector Current-Peak

Base Current

-10

-2

T_C= 25°

P_T

Collector Power Dissipation

T_J

T_S

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

R_thJC

R_thJA

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to free air Thermal Resistance

1.92

62.5

°C / W

25/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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与BD244C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD244C16	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C16A	MOTOROLA	获取价格	6A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6200	RENESAS	获取价格	7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6203	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6226	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6255	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6258	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6261	RENESAS	获取价格	7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6263	RENESAS	获取价格	7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6264	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast