Datasheet > BD244C

BD244C

更新时间： 2024-02-21 06:43:43

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	60K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD244C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	65 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD244C 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BD244/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type BD243/A/B/C

APPLICATIONS

·For medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-45

UNIT

BD244

BD244A

BD244B

BD244C

BD244

-60

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-80

-100

-45

BD244A

BD244B

BD244C

-60

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-6

Collector current-peak

Base current

-10

-2

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

12 3

中文翻译

下载PDF

与BD244C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD244C16	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C16A	MOTOROLA	获取价格	6A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6200	RENESAS	获取价格	7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6203	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6226	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6255	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6258	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD244C-6261	RENESAS	获取价格	7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6263	RENESAS	获取价格	7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244C-6264	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast