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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD243C-DR6280 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD243CDW | ONSEMI |
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TRANSISTOR 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| BD243CG | ONSEMI |
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Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
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| BD243CL | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD243CN | MOTOROLA |
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6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD243CS | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD243CT | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD243CTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| BD243CU | MOTOROLA |
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6A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD243CU2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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