BD242AS

更新时间： 2024-02-12 21:45:08

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
6页	142K
描述
3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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技术参数
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BD242AS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD242AS 数据手册

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by BD241B/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

•

Collector–Emitter Saturation Voltage —

= 1.2 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc

Collector–Emitter Sustaining Voltage —

•

= 80 Vdc (Min.) BD241B, BD242B

= 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C

CEO(sus)

*Motorola Preferred Device

•

High Current Gain — Bandwidth Product

3 AMPERE

POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARY

SILICON

= 3.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc

Compact TO–220 AB Package

MAXIMUM RATINGS

80, 100 VOLTS

40 WATTS

BD241B

BD242B

BD241C

BD242C

Rating

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Unit

Vdc

CEO

100

115

CES

5.0

Collector Current — Continuous

Peak

3.0

5.0

Adc

Base Current

1.0

Adc

Total Device Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

0.32

Watts

W/ C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–65 to +150

CASE 221A–06

TO–220AB

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

62.5

Unit

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

θJA

3.125

θJC

100

120

140

160

, CASE TEMPERATURE (

Figure 1. Power Derating

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6

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