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BD241

更新时间: 2024-10-31 22:39:31
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MICRO-ELECTRONICS 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
NPN SILCON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS

BD241 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.13
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):40 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

BD241 数据手册

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