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BD238

更新时间： 2024-09-24 14:55:03
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19页 785K
描述
80V,2A,25W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch

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BD238 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD238 数据手册

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BD234  
BD236  
BD238  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SILICON  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD234, BD236,  
and BD238 are silicon PNP power transistors designed  
for medium power amplifier and switching applications.  
PNP POWER TRANSISTORS  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-126 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
BD234  
BD236  
BD238  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
45  
60  
100  
V
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
V
V
V
45  
45  
60  
100  
80  
V
V
60  
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
2.0  
A
C
I
6.0  
A
CM  
Power Dissipation (T =25°C)  
C
Operating and Storage Junction Temperature  
P
25  
W
°C  
D
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
BD234  
MIN MAX  
BD236  
MIN MAX  
BD238  
MIN MAX  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
I
V
=Rated V  
-
100  
1.0  
-
-
100  
1.0  
-
-
100  
1.0  
-
μA  
CBO  
CB  
CBO  
I
V
=5.0V  
-
-
-
mA  
V
EBO  
EB  
BV  
I =100mA  
45  
-
60  
-
80  
-
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
V
V
I =1.0A, I =100mA  
0.6  
1.3  
-
0.6  
1.3  
-
0.6  
1.3  
-
V
C
B
V
=2.0V, I =1.0A  
-
-
-
V
CE  
CE  
CE  
CE  
C
h
h
V
V
V
=2.0V, I =150mA  
40  
25  
3.0  
40  
25  
3.0  
40  
25  
3.0  
C
=2.0V, I =1.0A  
-
-
-
FE  
C
f
=10V, I =250mA  
-
-
-
MHz  
T
C
R1 (7-September 2022)  
1234567...19

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD238_15 UTC

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 		-80V, PNP TRANSISTOR
BD238G ONSEMI

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 		Plastic Medium Power Bipolar Transistors
BD238G-T60-K UTC

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 		-80V, PNP TRANSISTOR
BD238G-T6S-K UTC

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 		Power Bipolar Transistor
BD238LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
BD238L-T60-K UTC

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 		-80V, PNP TRANSISTOR
BD238L-T6S-K UTC

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 		Power Bipolar Transistor
BD238S FAIRCHILD

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 		Medium Power Linear and Switching Applications
BD238STU FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
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 		Power 2 Amp 80 V PNP 25W Bipolar Junction Transistor, 1920-TUBE

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