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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD237LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| BD237L-T60-K | UTC |
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Power Bipolar Transistor, |
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| BD237L-T6S-K | UTC |
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80V, NPN TRANSISTORS |
|
| BD237-S | CDIL |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR |
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| BD237STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching Applications |
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| BD237STU | ONSEMI |
获取价格 |
2.0 A，100 V，25W，NPN 外延硅双极功率晶体管 |
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| BD238 | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Medium Power Bipolar Transistors |
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| BD238 | UTC |
获取价格 |
-80V, PNP TRANSISTOR |
|
| BD238 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching |
|
| BD238 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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