BD227

更新时间： 2024-11-28 08:51:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	107K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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BD227 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BD227 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD227/229/231

DESCRIPTION

·DC Current Gain-

: h_FE= 40(Min)@ I_C= -0.15A

·Complement to Type BD226/228/230

APPLICATIONS

·Designed for use in driver stages in television circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-45

UNIT

BD227

BD229

BD231

BD227

BD229

BD231

BD227

BD229

BD231

V_CBO

Collector-Base Voltage

-60

-100

-45

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

-60

-80

-45

Collector-Emitter

Voltage(R_BE= 1kΩ)

V_CER

-60

-100

-5

V_EBO

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-1.5

-3.0

12.5

150

-65~150

I_CM

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C≤62℃

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Thermal Resistance,Junction to Case

Thermal Resistance,Junction to Ambient

R_{th j-c}

100

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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