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BD227

更新时间: 2024-11-28 03:21:31
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 73K
描述
PNP power transistors

BD227 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:12.5 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
VCEsat-Max:0.8 VBase Number Matches:1

BD227 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BD227; BD229; BD231  
PNP power transistors  
1997 Mar 04  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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