Datasheet > BD2233G

BD2233G

更新时间： 2024-01-01 20:32:19

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		存储开关
页数	文件大小	规格书
13页	316K
描述
1ch Small Package High Side Switch ICs for USB Devices and Memory Cards

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD2233G 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SSOP
包装说明：	LSSOP, TSOP5/6,.11,37	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
内置保护：	OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE	驱动器位数：	1
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
长度：	2.9 mm	功能数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出特性：	OPEN-DRAIN
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装等效代码：	TSOP5/6,.11,37	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.25 mm	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压：	5.5 V	最小供电电压：	2.7 V
标称供电电压：	5 V	表面贴装：	YES
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.95 mm	端子位置：	DUAL
断开时间：	40 µs	接通时间：	10000 µs
宽度：	1.6 mm	Base Number Matches：	1

BD2233G 数据手册

Power Management Switch ICs for PCs and Digital Consumer Products

1ch Small Package

High Side Switch ICs

for USB Devices and Memory Cards

BD2232G, BD2233G

No.11029EAT23

●Description

BD2232G and BD2233G are low on-resistance N-channel MOSFET high-side power switches, optimized for Universal

Serial Bus (USB) applications. BD2232G and BD2233G are equipped with the function of over-current detection, thermal

shutdown, under-voltage lockout and soft-start.

●Features

1) Low On-Resistance (Typ. 100mΩ) N-channel MOSFET Built-in

2) Output Discharge Function

3) Over-Current Detection

4) Thermal Shutdown

5) Open-Drain Fault Flag Output

6) Under-Voltage Lockout

7) Soft-Start Circuit

8) Input Voltage Range: 2.7V ~ 5.5V

9) Control Input Logic Active-High (BD2232G), Active-Low (BD2233G)

10) SSOP5 Package

●Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)

Parameter

VIN supply voltage

EN(/EN) input voltage

/OC voltage

Symbol

VIN

Ratings

-0.3 ~ 6.0

Unit

VEN(/EN)

V/OC

I/OC

/OC sink current

VOUT voltage

VOUT

TSTG

-0.3 ~ VIN + 0.3

-55 ~ 150

675 ^*1

Storage temperature

Power dissipation

℃

*1 Mounted on 70mm x 70mm x 1.6mm glass epoxy board. Reduce 5.4mW per 1℃ above 25℃

This IC is not designed to be radiation-proof.

●Operating Conditions

Parameter

Ratings

Typ.

Symbol

VIN

Unit

Min.

2.7

Max.

5.5

VIN operating voltage

Operating temperature

5.0

TOPR

-40

℃

www.rohm.com

2011.02 - Rev.A

1/12

12 3 4 5 6 7...13

下载PDF

与BD2233G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD2233G-GTR	ROHM	Buffer/Inverter Based Peripheral Driver,	获取价格
BD2233G-TR	ROHM	Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, PDSO5, SSOP-5	获取价格
BD2239N5050AHF	ANAREN	Balun 2.2GHZ-3.9GHZ 50/50 0404	获取价格
BD224	ONSEMI	TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,5A I(C),TO-220AB, BIP General Purpose Power	获取价格
BD2240G	ROHM	1ch Small Package High Side Switch ICs for USB Devices and Memory Cards	获取价格
BD2240G_14	ROHM	1.0A Current Limit High Side Switch ICs	获取价格