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BD2226G-LBTR

更新时间： 2024-09-24 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 电源电路存储开关电源管理电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 294K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver,

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BD2226G-LBTR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LSSOP,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：9 weeks风险等级：1.64
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G5长度：2.9 mm
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出电流流向：SINK标称输出峰值电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：1.25 mm
最大供电电压：5.5 V最小供电电压：2.7 V
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.95 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：40 µs
接通时间：10000 µs宽度：1.6 mm
Base Number Matches：1

BD2226G-LBTR 数据手册

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Power Management Switch ICs for PCs and Digital Consumer Products  
1ch Small Package  
High Side Switch ICs  
for USB Devices and Memory Cards  
BD2226G, BD2227G  
No.11029EBT18  
●Description  
BD2226G and BD2227G are low on-resistance N-channel MOSFET high-side power switches, optimized for Universal  
Serial Bus (USB) applications. BD2226G and BD2227G are equipped with the function of over-current detection, thermal  
shutdown, under-voltage lockout and soft-start.  
●Features  
1) Low On-Resistance (Typ. 150mΩ) N-channel MOSFET Built-in  
2) Over-Current Detection  
3) Thermal Shutdown  
4) Open-Drain Fault Flag Output  
5) Under-Voltage Lockout  
6) Soft-Start Circuit  
7) Input Voltage Range: 2.7V ~ 5.5V  
8) Control Input Logic Active-High (BD2226G), Active-Low (BD2227G)  
9) SSOP5 Package  
●Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)  
Parameter  
Symbol  
VIN  
Ratings  
-0.3 ~ 6.0  
-0.3 ~ 6.0  
-0.3 ~ 6.0  
5
Unit  
V
VIN supply voltage  
EN(/EN) input voltage  
/OC voltage  
VEN(/EN)  
V/OC  
I/OC  
V
V
/OC sink current  
VOUT voltage  
mA  
V
VOUT  
TSTG  
Pd  
-0.3 ~ VIN + 0.3  
-55 ~ 150  
675 *1  
Storage temperature  
Power dissipation  
℃
mW  
*1 Mounted on 70mm x 70mm x 1.6mm glass epoxy board. Reduce 5.4mW per 1℃ above 25℃  
This IC is not designed to be radiation-proof.  
*
●Operating Conditions  
Parameter  
Ratings  
Typ.  
Symbol  
VIN  
Unit  
V
Min.  
2.7  
Max.  
5.5  
VIN operating voltage  
Operating temperature  
5.0  
-
TOPR  
-40  
85  
℃
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2011.05 - Rev.B  
1/12  
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