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BD202

更新时间： 2024-11-27 22:27:23

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NTE		晶体开关放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose Amplifier, Switch

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BD202 数据手册

NTE182 (NPN) & NTE183 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose Amplifier, Switch

Description:

The NTE182 (NPN) and NTE183 (PNP) are silicon transistors in a TO127 type case designed for use

in general purpose amplifier and switching applications.

Features:

D DC Current Gain Specified to 10A

D High Current Gain–Bandwidth Product: f_T= 2MHz (Min) @ I_C= 500mA

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.72W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.39°C/W

Electrical Characteristics: (T_C=+25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 200mA, I_B= 0, Note 1

–

Collector Cutoff Current

I_CEO

I_CEX

V_CE= 30V, I_B= 0

700 µA

1.0 mA

5.0 mA

V_CE= 70V, V_BE(off)= 1.5V

–

V_CE= 70V, V_BE(off)= 1.5V,

–

T_C= +150°C

I_CBO

V_CB= 70V, I_E= 0

–

1.0 mA

V_CB= 70V, I_E= 0, T_C= +150°C

V_BE= 5V, I_C= 0

Emitter Cutoff Current

I_EBO

5.0 mA

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs. Duty Cycle ≤ 2%.

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