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BD139

更新时间： 2024-11-02 06:41:51
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD139 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
BD135 BD137 BD139  
DESCRIPTION  
·
·With TO-126 package  
·High current  
·Complement to type BD136/138/140  
APPLICATIONS  
·Driver stages in high-fidelity amplifiers  
and television circuits  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Emitter  
Collector;connected to  
mounting base  
2
3
Base  
Absolute maximum ratings (Ta=25℃)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
UNIT  
BD135  
BD137  
BD139  
BD135  
BD137  
BD139  
45  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
Open base  
V
60  
100  
45  
VCEO  
Collector-emitter vltage  
V
60  
100  
VEBO  
IC  
Emitter -base voltage  
Collector current (DC)  
Collector current-Peak  
Base current-Peak  
Open collector  
5
V
A
1.5  
ICM  
IBM  
Pt  
2
1
A
A
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
mb≤70℃  
8
W
℃
℃
℃
Tj  
150  
Tstg  
Tamb  
-65~150  
-65~150  
Operating ambient temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
100  
UNIT  
K/W  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance from junction to ambient  
Rth j-mb  
Thermal resistance from junction to mounting base  
10  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD139_09 UTC

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 		暂无描述
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