5秒后页面跳转
BD136 PDF预览

BD136

更新时间: 2024-01-18 17:32:06
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 192K
描述
PNP SILICON TRANSISTORS

BD136 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SIP
包装说明:TO-126, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.1
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN (315)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):160 MHz
Base Number Matches:1

BD136 数据手册

 浏览型号BD136的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD136的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD136的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BD136的Datasheet PDF文件第5页 

与BD136相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD136/D ETC

获取价格

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
BD136_01 STMICROELECTRONICS

获取价格

PNP SILICON TRANSISTORS
BD136_11 UTC

获取价格

PNP SILICON TRANSISTOR
BD13610 FAIRCHILD

获取价格

Medium Power Linear and Switching Applications
BD136-10 STMICROELECTRONICS

获取价格

PNP SILICON TRANSISTORS
BD136-10 NXP

获取价格

PNP power transistors
BD136-10 INFINEON

获取价格

PNP SILICON TRANSISTORS
BD136-10 CDIL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD136-10 CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti
BD136-10-BP-HF MCC

获取价格

Power Bipolar Transistor,