BD13516STU

更新时间： 2024-09-26 12:34:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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5页	142K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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BD13516STU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-126
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	7.15
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	13 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

BD13516STU 数据手册

August 2013

BD135 / 137 / 139

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features

• Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively

Applications

• Medium Power Linear and Switching

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

Ordering Information

Part Number

BD13516S

Marking

BD135-16

BD135-6

Package

Packing Method

Bulk

BD1356STU

BD13510STU

BD13516STU

BD13716STU

BD13710STU

BD13716S

BD135-10

BD135-16

BD137-16

BD137-10

BD137-16

BD139-16

BD139-10

BD139-16

BD139-6

Rail

TO-126 3L

Bulk

Rail

BD13916STU

BD13910S

Bulk

Rail

BD13916S

BD1396STU

BD13910STU

BD139-10

BD135 / 137 / 139 Rev. 1.2.0

www.fairchildsemi.com

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BD13516STU 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BD13516S	FAIRCHILD	完全替代	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BD135G	ONSEMI	功能相似	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD135	STMICROELECTRONICS	功能相似	NPN SILICON TRANSISTORS

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