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BD135

更新时间: 2024-11-08 22:27:23
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
8页 48K
描述
NPN power transistors

BD135 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.63Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1.5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):40最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):8 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

BD135 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BD135; BD137; BD139  
NPN power transistors  
1999 Apr 12  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Mar 04  

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