BD135

更新时间： 2024-02-21 00:36:21

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描述
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

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BD135 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	2 weeks	风险等级：	1.99
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

BD135 数据手册

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by BD135/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi

complementary circuits.

1.5 AMPERE

POWER TRANSISTORS

NPN SILICON

•

DC Current Gain — h = 40 (Min) @ I = 0.15 Adc

FE C

BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140

45, 60, 80 VOLTS

10 WATTS

CASE 77–08

TO–225AA TYPE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Type

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

BD 135

BD 137

BD 139

Vdc

CEO

CBO

EBO

Collector–Base Voltage

BD 135

BD 137

BD 139

100

Vdc

Emitter–Base Voltage

Collector Current

Base Current

Vdc

Adc

1.5

0.5

Total Device Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

1.25

Watts

mW/ C

Total Device Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

12.5

100

Watt

mW/ C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–55 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

100

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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