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BD135-16-BP PDF预览

BD135-16-BP

更新时间： 2024-09-26 14:35:11
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 381K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BD135-16-BP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.61Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BD135-16-BP 数据手册

 浏览型号BD135-16-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD135-16-BP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
BD135-6/10/16  
BD137-6/10/16  
BD139-6/10/16  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
ꢀ
)HDWXUHVꢀ  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Power Transistors  
NPN Silicon  
·
·
•
•
DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @IC = 150mAdc  
Complementary with BD136, BD138, BD140  
45,60,80 Voltsꢀ  
0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀ  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
BD135  
BD137  
BD139  
45  
60  
80  
K
A
VCEO  
Vdc  
N
Collector-Base Voltage  
BD135  
BD137  
BD139  
45  
60  
80  
5.0  
1.5  
0.5  
VCBO  
Vdc  
D
ꢀ
E
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VEBO  
IC  
IB  
Vdc  
Adc  
Adc  
M
B
Base Current  
Total Device Dissipation @TA=25  
Derate above 25  
Total Device Dissipation @TC=25  
Derate above 25  
Operating & Storage Temperature Range  
Maximum Thermal Resistance Junction to  
Case  
Maximum Thermal Resistance Junction to  
Ambient Air  
Watt  
mW/  
1.25  
10  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
PD  
Watt  
mW/  
12.5  
100  
1
2
3
PD  
TJ, TSTG  
R
-55 to +150  
L
G
/W  
/W  
10  
R
100  
°
C
Symbol  
BVCEO  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
Collector-Emitter Sustaining Voltage*  
(IC=30mA,IB=0) BD135  
BD137  
Vdc  
45  
60  
80  
BD139  
F
Q
ICBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IE=0)  
(VCB=30Vdc, IE=0, TC=125  
0.1  
10  
µAdc  
µAdc  
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
EMITTER  
COLLECTOR  
BASE  
J
)
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VBE=5.0Vdc, IC=0)  
10  
DIMENSIONS  
DC Current Gain*  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
VCE(sat)  
(IC=5mAdc, VCE=2Vdc)  
(IC=0.5Adc, VCE=2Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=2Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter ON Voltage  
(VCE=2V, IC=0.5A)  
25  
25  
40  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢇꢉꢊꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢆ  
ꢉꢆ  
ꢍ
0.291  
0.417  
0.602  
ꢎꢏꢐꢑ4  
0.118  
0.026  
0.046  
0.307ꢆ  
0.433  
0.618  
ꢎꢏꢐꢒ1  
0.126  
0.034  
0.054  
7.40  
10.60  
15.30  
3.90  
3.00  
0.66  
7.80  
11.00  
15.70  
4.10  
3.20  
0.86  
1.37  
250  
0.5  
1
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢓ
Vdc  
Vdc  
VBE(on)  
ꢔ
1.17  
ꢕꢆ  
0.090TYP  
2.290TYP  
FE(3)  
CLASSIFICATION OF H  
Rank  
ꢖꢆ  
0.098  
0.114  
2.50  
2.90  
L
M
N
0.083  
0.000  
0.043  
0.091  
0.012  
0.059  
2.10  
0.00  
1.10  
2.30  
0.30  
1.50  
6
10  
63-160  
16  
100-250  
Range  
40-100  
Q
0.018  
0.024  
0.45  
0.60  
*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: C  
2014/01/02  
123

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