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BD131

更新时间： 2024-02-03 05:27:32

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COMSET		晶体晶体管局域网
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2页	97K
描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS

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BD131 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

BD131 数据手册

PNP BD132

NPN BD131

SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER

TRANSISTORS

The BD132are PNN transistors mounted in Jedec TO-126 plastic package.

Medium power applications.

NPN complements are BD131 .

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

-V_CEO

-V_CBO

-V_EBO

Symbol

Value

Unit

-I_C

-I_CM

Collector Current

I_C

Base current (peak value)

Reverse base current (peak value)

Total power Dissipation

0.5

-I_BM

+I_BM

@ T_mb= 60°C

I_B

P_T

Watts

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_Stg

150

-65 to +150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to mouting base

R_thJ-mb

K/W

COMSET SEMICONDUCTORS

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD131_12	COMSET	获取价格	SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS
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