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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCY78-X
BCY78-X PDF预览

BCY78-X

更新时间： 2024-09-25 22:10:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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BCY78-X 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.24
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-18
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHz最大关闭时间（toff）：400 ns
最大开启时间（吨）：100 nsBase Number Matches：1

BCY78-X 数据手册

 浏览型号BCY78-X的Datasheet PDF文件第2页 
DATA SHEET  
BCY78, VII, VIII, IX, X  
BCY79, VII, VIII, IX, X  
PNP SILICON TRANSISTOR  
JEDEC TO-18 CASE  
DESCRIPTION  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCY78, BCY79 Series types are Silicon PNP Epitaxial Planar Transistors,  
mounted in a hermetically sealed metal case, designed for low noise amplifier and switching applications.  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
BCY78  
32  
BCY79  
45  
45  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Current (Peak)  
Base Current (Peak)  
Power Dissipation  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
32  
V
V
mA  
mA  
mA  
mW  
W
5.0  
100  
200  
200  
340  
1.0  
I
I
I
P
P
C
CM  
BM  
D
D
Power Dissipation(T =25°C)  
C
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
-65 to +200  
450  
°C  
°C/W  
°C/W  
J stg  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
JC  
Θ
150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
15  
10  
20  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
= Rated V  
= Rated V  
=5.0V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
CBO  
CBO  
, T =150°C  
A
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =10µA (BCY78)  
32  
45  
32  
45  
5.0  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
EBO  
C
I =10µA (BCY79)  
V
V
V
V
V
V
V
V
C
I =2.0mA (BCY78)  
C
I =2.0mA (BCY79)  
C
I =1.0µA  
E
V
V
V
V
V
I =10mA, I =250µA  
0.25  
0.80  
0.85  
1.20  
0.75  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
C
B
B
B
B
I =100mA, I =2.5mA  
C
I =10mA, I =250µA  
0.60  
0.70  
0.60  
C
I =100mA, I =2.5mA  
C
V
=5.0V, I =2.0mA  
V
CE  
C
BCY78-VII  
BCY79-VII  
BCY78-VIII  
BCY79-VIII  
BCY78-IX  
BCY79-IX  
BCY78-X  
BCY79-X  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX MIN  
MAX MIN  
MAX MIN  
MAX  
h
h
h
h
V
V
V
V
=5.0V, I =10µA  
140 TYP  
120 220  
80  
40  
30  
40  
250  
160  
60  
100  
380  
240  
60  
FE  
FE  
FE  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
C
=5.0V, I =2.0mA  
180  
120  
45  
310  
400  
460  
630  
630  
1000  
=1.0V, I =10mA  
C
=1.0V, I =100mA  
C
(SEE REVERSE SIDE)  
R3  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCY78-XLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,
BCY78-XTIN/LEAD CENTRAL

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BCY78ザ INFINEON

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