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BCY78-7

更新时间: 2024-01-10 18:37:15
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MICRO-ELECTRONICS 晶体管
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1页 83K
描述
Transistor,

BCY78-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.6最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:7 pF集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.39 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
最大关闭时间(toff):800 nsVCEsat-Max:0.8 V

BCY78-7 数据手册

  

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