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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.03 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | CECC |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 800 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 150 ns | VCEsat-Max： | 0.55 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX71GTF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| BCX71GTI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| BCX71GTR | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BCX71GTR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCX71GTR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCX71GTRL | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCX71GTRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCX71GTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BCX71H | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| BCX71H | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistors |
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