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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCX70HTRLEADFREE
BCX70HTRLEADFREE PDF预览

BCX70HTRLEADFREE

更新时间： 2024-11-27 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 324K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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BCX70HTRLEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.03Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE基于收集器的最大容量：2.5 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.55 V
Base Number Matches：1

BCX70HTRLEADFREE 数据手册

 浏览型号BCX70HTRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
BCX70 SERIES  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX70 Series  
types are NPN Silicon Transistors manufactured  
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for general purpose  
switching and amplifier applications.  
MARKING CODES: BCX70G: AG  
BCX70H: AH  
BCX70J: AJ  
BCX70K: AK  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
45  
45  
5.0  
100  
200  
CBO  
CEO  
EBO  
C
CM  
V
I
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
I
I
200  
350  
BM  
P
D
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
V
MHz  
pF  
pF  
I
I
I
V
V
V
=45V  
=45V, T =150°C  
=4.0V  
20  
20  
20  
CBO  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
CB  
EB  
A
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
45  
45  
5.0  
0.05  
0.10  
0.60  
0.70  
0.55  
100  
C
I =10mA  
C
I =1.0μA  
EBO  
E
V
V
V
V
V
I =10mA, I =250μA  
0.35  
0.55  
0.85  
1.05  
0.75  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
C
B
B
B
B
I =50mA, I =1.25mA  
C
I =10mA, I =250μA  
C
I =50mA, I =1.25mA  
C
V
=5.0V, I =2.0mA  
CE  
CE  
CB  
EB  
CE  
C
f
C
C
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
250  
1.7  
11  
T
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
c
e
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
NF  
=5.0V, I =200μA, R =2.0kΩ,  
C S  
f=1.0kHz, BW=200Hz  
6.0  
dB  
BCX70G  
MIN MAX  
BCX70H  
BCX70J  
MIN MAX  
30  
BCX70K  
MIN MAX  
100  
MIN  
40  
MAX  
h
h
h
V
V
V
=5.0V, I =10μA  
C
FE  
FE  
FE  
CE  
CE  
CE  
=5.0V, I =2.0mA  
120  
50  
220  
180  
70  
310  
250  
90  
460  
380  
100  
630  
C
=1.0V, I =50mA  
C
R2 (20-November 2009)  
12

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