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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.03 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 800 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 150 ns | VCEsat-Max： | 0.55 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX70H-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCX70HTC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCX70HTF | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
|
| BCX70HTI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
|
| BCX70HTR | SAMSUNG |
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暂无描述 |
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| BCX70HTR13 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| BCX70HTR13LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCX70HTRL | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCX70HTRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCX70HTRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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