BCX68

更新时间： 2024-09-08 22:39:31

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管放大器局域网
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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BCX68 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.15	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	25 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

BCX68 数据手册

SOT89 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BCX68

ISSUE 2 – FEBRUARY 1995

✪

FEATURES

High gain and low saturation voltages

COMPLEMENTARY TYPE –

PARTMARKING DETAIL –

BCX69

BCX68

– CE

BCX68-16 – CC

BCX68-25 – CD

SOT89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

Pe ak Pu ls e Cu rre n t

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

I_C

P_{to t}

°C

T_j:T_{s tg}

-65 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS .

Co lle cto r-Ba s e

Bre a kd o w n vo lta g e

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=100µA

I_C=10m A

I_E=100µA

V_CB=25V

Co lle cto r-Em itte r

Bre a kd o w n Vo ltag e

Em itte r-Ba s e

Bre a kd o w n Vo ltag e

Co lle cto r Cu t-Off

Cu rre n t

0.1

µA

V_CB=25V, T_a=150°C

Em itte r Cu t-Off Cu rren t I_EBO

V_EB=5V

µA

Co lle cto r-Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{CE(s a t)}

V_{BE(o n )}

h _FE

0.5

I_C=1A, I_B=100m A*

Bas e -Em itte r Tu rn -On

Vo lta g e

1.0

I_C=1A, V_CE=1V*

S tatic Fo rw a rd Cu rren t

Tran s fe r Ra tio

I_C=5m A, V_CE=10V

I_C=500m A, V_CE=1V

I_C=1A, V_CE=1V*

375

BCX68-16 100

BCX68-25 160

250

400

I_C=500m A, V_CE=1V*

I_C=500m A, V_CE=1V

250

Tran s itio n Fre q u e n cy

Ou tp u t Ca p a cita n ce

f_T

100

MHz I_C=100m A, V_CE=5V,

f=100MHz

C_{o b o}

p F

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

For typical characteristics graphs see FMMT449 datasheet.

3 - 36

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCX68_07	ZETEX	获取价格	SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCX68-10	INFINEON	获取价格	NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current)
BCX68-10	TYSEMI	获取价格	High collector current. High current gain. Low collector-emitter saturation voltage.
BCX68-10	BL Galaxy Electrical	获取价格	20V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
BCX68-10E6327	ROCHESTER	获取价格	1000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX6810E6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3
BCX68-10E6433	INFINEON	获取价格	暂无描述
BCX6816	ETC	获取价格	Obsolete - alternative part: BCX6825
BCX68-16	INFINEON	获取价格	NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current)
BCX68-16	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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