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BCX55

更新时间： 2024-02-08 16:25:30
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 20K
描述
SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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BCX55 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.08外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BCX55 数据手册

  
BCX54  
BCX55  
BCX56  
SOT89 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996  
✪
PARTMARKING DETAILS:-  
C
BCX54 – BA  
BCX55 – BE  
BCX56 – BH  
BCX54-10 – BC  
BCX55-10 – BG  
BCX56-10 – BK  
BCX54-16 – BD  
BCX55-16 – BM  
BCX56-16 – BL  
E
COMPLEMENTARY TYPES:-  
C
B
BCX54 – BCX51  
BCX55 – BCX52  
BCX56 – BCX53  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
BCX54 BCX55  
BCX56  
100  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
45  
45  
60  
Collector-Em itter Voltage  
Em itter-Base Voltage  
60  
80  
V
5
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tam b=25°C  
IC  
1
A
Ptot  
1
W
°C  
Operating and Storage Tem perature Range Tj:Tstg  
-65 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
am b  
= 25°C unless otherw ise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown BCX54 V(BR)CBO  
45  
60  
100  
Voltage  
BCX55  
BCX56  
V
I
=100µA  
C
Collector-Em itter  
Breakdown Voltage  
BCX54 V(BR)CEO  
BCX55  
BCX56  
45  
60  
80  
V
V
I
=10m A*  
C
Em itter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)EBO  
ICBO  
5
IE =10µA  
0.1  
20  
VCB =30V  
V
µA  
µA  
CB =30V, Tam b =150°C  
Em itter Cut-Off Current  
IEBO  
20  
nA  
V
VEB =4V  
Collector-Em itter Saturation Voltage VCE(sat)  
0.5  
1.0  
IC =500m A, IB =50m A*  
IC =500m A, VCE =2V*  
IC =5m A, VCE =2V*  
Base-Em itter Turn-On Voltage  
VBE(on)  
hFE  
V
Static Forward Current Transfer  
Ratio  
25  
40  
25  
63  
250  
I
I
I
C =150m A, VCE =2V*  
C =500m A, VCE =2V*  
C =150m A, VCE =2V*  
IC =150m A, VCE =2V*  
–10  
–16  
160  
250  
100  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
150  
MHz IC =50m A, VCE =10V,  
f=100MHz  
Cobo  
15  
pF  
VCB =10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3 - 35  
1

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