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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.61 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 20 pF | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX53T113 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, |
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| BCX53-T1AK | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
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| BCX53-T2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, PL |
|
| BCX53T213 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, |
|
| BCX53TA | DIODES |
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 |
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| BCX53TA | ZETEX |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCX53-TP | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BCX53TR13 | CENTRAL |
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Transistor |
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| BCX53TRL | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCX53TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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