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BCX53-10

更新时间： 2024-01-26 09:15:48

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WEITRON		晶体晶体管
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3页	681K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistor

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BCX53-10 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.02	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	63
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

BCX53-10 数据手册

BCX53

PNP Plastic-Encapsulate Transistor

P b

Lead(Pb)-Free

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

SOT-89

MAXIMUM RATINGS ( T =25°C unless otherwise noted)

Rating

Symbol

Value

-100

-80

Unit

CBO

Collector-Base Voltage

CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

EBO

-5.0

-1.0

Collector Current Continuous

˚C

500

Total Device Dissipation T =25°C

+150

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

-55 to +150

˚C

Tstg

Device Marking

BCX53=AH , BCX53-10=AK , BCX53-16=AL

OFF CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

-100

-80

Unit

Collector-Base Breakdown Voltage, I = -100µA, I = 0

V(BR)

CBO

CEO

EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage, I = -10mA, I = 0

Emitter-Base Breakdown Voltage, I = -10µA, I = 0

-5.0

Collector Cut-oﬀ Current, V = -30V, I = 0

µA

-0.1

CBO

Emitter Cut-oﬀ Current, V = -5.0V, I = 0

EBO

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

1/3

12-Oct-06

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BCX53-10/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243AA, PLASTIC, TO-243, SC-62, 3 PIN,
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