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BCX17R

更新时间： 2024-11-24 22:27:23
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 40K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BCX17R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.05Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.425 W认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC50002-235子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BCX17R 数据手册

  
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 4 – MARCH 2001  
BCX17  
PARTMARKING DETAILS –  
BCX17  
BCX17R  
– T1  
– T4  
E
C
COMPLIMENTARY TYPES - BCX19  
B
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage (IC =-10mA)  
Emitter-Base Voltage  
-50  
-45  
V
V
-5  
V
Collector Current  
-500  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak Collector Current  
ICM  
-1000  
-1000  
-100  
Peak Emitter Current  
IEM  
Base Current  
IB  
Peak Base Current  
IBM  
-200  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Cut-Off  
Current  
ICBO -100 nA E =0, VCB =-20V  
I
-200  
-10  
IE =0, VCB =-20V, Tj=150°C  
µA  
µA  
Emitter-Base Cut-Off  
Current  
IEBO  
IC =0, VEB =-1V  
Base-Emitter Voltage  
VBE  
-1.2  
V
IC =-500mA, VCE =-1V*  
IC =-500mA, IB =-50mA*  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-620 mV  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
100  
70  
40  
600  
IC =-100mA, VCE =-1V  
I
I
C =-300mA, VCE =-1V*  
C =-500mA, VCE =-1V*  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
100  
8.0  
MHz IC =-10mA, VCE =-5V  
f =35MHz  
Cobo  
pF  
VCB =-10V, f =1MHz  
*Measured under pulsed conditions.  
Spice parameter data is available upon request for this device  
TBA  
1

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