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| MICRO-ELECTRONICS |  |
晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 52K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIATURE, MT-42, 3 PIN | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-XBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | O-XBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.075 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW86 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92VAR |
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| BCW89 | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BCW89 | NEXPERIA |
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PNP general purpose transistorProduction |
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| BCW89 | ONSEMI |
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PNP通用放大器 |
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| BCW89 | KEXIN |
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PNP General Purpose Transistors |
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| BCW89 | TYSEMI |
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Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 60 V).Collector-base voltage VCBO -80 V |
|
| BCW89 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
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| BCW89 | ZETEX |
获取价格 |
SOT23 PNP PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
|
| BCW89 | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistor |
|
| BCW89 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
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