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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCW72LT1
BCW72LT1 PDF预览

BCW72LT1

更新时间： 2024-01-08 00:39:08
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 418K
描述
General Purpose Transistor(NPN Silicon)

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BCW72LT1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.58
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/224506.1.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=224506
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=2245063D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=224506
Samacsys PartID：224506Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/BCW72LT1G.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/BCW72LT1G.jpgSamacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08Samacsys Released Date：2015-07-24 09:18:38
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

BCW72LT1 数据手册

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by BCW72LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
1
3
BASE  
1
2
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
45  
50  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
5.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
I
C
mAdc  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
= 25°C  
Derate above 25°C  
P
225  
mW  
D
T
A
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
BCW72LT1 = K2  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
45  
45  
50  
5.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 2.0 mAdc, V  
C EB  
= 0)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 2.0 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
EB  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
V
V
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 20 Vdc, I = 0)  
—
—
—
—
100  
10  
nAdc  
Adc  
E
= 20 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
E
A
1. FR–5 = 1.0  
0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Motorola, Inc. 1996
12345678

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