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BCW68G

更新时间： 2024-02-10 10:28:35

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安世 - NEXPERIA		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	266K
描述
45 V, 800 mA PNP general-purpose transistorProduction

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BCW68G 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.05	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCW68G 数据手册

BCW68 series

45 V, 800 mA PNP general-purpose transistor

Rev. 1 — 21 April 2017

Product data sheet

1 General description

PNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device

(SMD) plastic package.

NPN complements: BCW66F/G/H

2 Features and benefits

• High current

• AEC-Q101 qualified

3 Applications

• General-purpose switching and amplification

4 Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

-45

Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage

collector current

peak collector current

DC current gain

BCW68F

open base

-800

-1

I_CM

h_FE

single pulse; t_p≤ 1 ms

[1]

V_CE= -1 V; I_C= -100 mA; T_amb= 25 °C

100

160

250

400

600

BCW68G

BCW68H

[1] pulsed: t_p≤ 300 μs, δ ≤ 0.02

12 3 4 5 6 7...13

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与BCW68G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCW68G/E8	ETC	BJT	获取价格
BCW68G/E9	ETC	BJT	获取价格
BCW68G_11	MCC	PNP Small Signal Transistor 330mW	获取价格
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BCW68GBKLEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW68GD87Z	TI	800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格