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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.58 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-609代码： | e3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.33 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW68G/E8 | ETC |
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BJT |
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| BCW68G/E9 | ETC |
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BJT |
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| BCW68G_11 | MCC |
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PNP Small Signal Transistor 330mW |
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| BCW68GBK | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCW68GBKLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCW68GD87Z | TI |
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800mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BCW68G-DG | DIODES |
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SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| BCW68GE6327 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW68GE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW68G-E8 | VISHAY |
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SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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