5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCW61D
BCW61D PDF预览

BCW61D

更新时间： 2024-11-25 04:09:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 125K
描述
SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

BCW61D 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.08其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：380
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

BCW61D 数据手册

 浏览型号BCW61D的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
BCW61B  
BCW61C  
BCW61D  
Central  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCW61B  
Series types are PNP Silicon Transistors  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for low level, low noise applications.  
PNP SILICON TRANSISTOR  
MARKING CODES: BCW61B : BB  
BCW61C : BC  
BCW61D : BD  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
V
V
V
32  
32  
5.0  
100  
350  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
V
I
mA  
C
P
mW  
D
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
CES  
CES  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
20  
UNITS  
nA  
µA  
V
I
I
V
V
=32V  
CE  
=32V, T =150°C  
20  
CE  
A
BV  
BV  
I =2.0mA  
32  
5.0  
CEO  
C
I =1.0µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
V
I =10mA, I =250µA  
0.25  
0.55  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
C
B
I =50mA, I =1.25mA  
V
C
B
I =10mA, I =250µA  
0.60  
0.68  
0.60  
0.85  
V
C
B
I =50mA, I =1.25mA  
1.05  
V
C
B
V
=5.0V, I =2.0mA  
0.75  
V
CE  
CB  
CE  
CC  
CC  
C
C
V
V
V
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
6.0  
pF  
ob  
C
NF  
t
t
=5.0V, I =0.2mA, R =2.0kΩ, f=1.0kHz, BW=200Hz  
6.0 dB  
150  
C
S
=10V, I =10mA, R =990Ω, I =I =1.0mA  
ns  
ns  
on  
C
L
B1 B2  
B1 B2  
=10V, I =10mA, R =990Ω, I =I =1.0mA  
800  
on  
C
L
BCW61B  
BCW61C  
BCW61D  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
h
h
h
h
V
V
V
V
=5.0V, I =10µA  
30  
140  
80  
40  
100  
380  
100  
350  
FE  
FE  
FE  
fe  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
=5.0V, I =2.0mA  
310  
250  
100  
250  
460  
630  
C
=1.0V, I =50mA  
C
=5.0V, I =2.0mA, f=1.0kHz  
175  
350  
500  
700  
C
R1 (20-February 2003)  
12

中文翻译

下载PDF

与BCW61D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCW61D,215 ETC

获取价格

 		TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
BCW61D/E8 VISHAY

获取价格

 		Transistor
BCW61D/E9 VISHAY

获取价格

 		Transistor
BCW61D/T1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR SOT-23
BCW61DBK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW61DBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW61DD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCW61DE6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCW61DE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW61DE6433 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与BCW61D相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证