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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.59 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW61CTR | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCW61CTR13 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW61CTR13LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW61CTRL | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW61CTRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW61CTRLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW61D | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BCW61D | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
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| BCW61D | RECTRON |
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SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
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| BCW61D | KEXIN |
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General Purpose Transistor |
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