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BCW61C-TAPE-13

更新时间: 2024-11-06 14:05:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

BCW61C-TAPE-13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.01
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
最大关闭时间(toff):800 ns最大开启时间(吨):150 ns
VCEsat-Max:0.55 VBase Number Matches:1

BCW61C-TAPE-13 数据手册

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