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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.13 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 800 ns | 最大开启时间（吨）： | 150 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW60CS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60CT/R | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
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| BCW60CT116 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCW60CT117 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCW60CT216 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
|
| BCW60CTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60C-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW60C-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW60CTC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW60CTF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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