Datasheet > BCV62B/T3

BCV62B/T3

更新时间： 2024-11-20 03:28:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	145K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCV62B/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.27
其他特性：	FOR TRANSISTOR2 HFE IS 220	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	CURRENT MIRROR	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V

BCV62B/T3 数据手册

BCV62

PNP general-purpose double transistors

Rev. 4 — 26 July 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

NPN complement

JEITA

BCV62

SOT143B

BCV61

BCV62A

BCV62B

BCV62C

BCV61A

BCV61B

BCV61C

1.2 Features and benefits

Low current (max. 100 mA)

Low voltage (max. 30 V)

Matched pairs

AEC-Q101 qualified

Small SMD plastic package

1.3 Applications

Applications with working point independent of temperature

Current mirrors

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Per transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_Ccollector current

Transistor TR1

h_FEDC current gain

open base

−30

−100 mA

V_CE= −5 V; I_C= −100 μA

V_CE= −5 V; I_C= −2 mA

100

800

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与BCV62B/T3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCV62B-E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCV62B-E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCV62BE6433HTMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
BCV62BT/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| BLDG BLOCK \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-143
BCV62B-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCV62B-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCV62C	NXP	获取价格	PNP general purpose double transistor
BCV62C	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and V
BCV62C	NEXPERIA	获取价格	PNP general-purpose double transistorsProduction
BCV62C	BL Galaxy Electrical	获取价格	30V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

与BCV62B/T3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BCV62B/T3

BCV62B/T3 技术参数

BCV62B/T3 数据手册

与BCV62B/T3相关器件

与BCV62B/T3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BCV62B/T3

BCV62B/T3 技术参数

BCV62B/T3 数据手册

与BCV62B/T3相关器件

与BCV62B/T3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？