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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | CURRENT MIRROR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV62B-E6433 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCV62BE6433HTMA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO |
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| BCV62BT/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | ARRAY | BLDG BLOCK | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-143 |
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| BCV62B-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCV62B-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV62C | NXP |
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PNP general purpose double transistor |
|
| BCV62C | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and V |
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| BCV62C | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP general-purpose double transistorsProduction |
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| BCV62C | BL Galaxy Electrical |
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30V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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| BCV62C | MCC |
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Tape&Reel: 3Kpcs/Reel; |
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