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BCV62B

更新时间： 2024-11-20 11:10:51

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安世 - NEXPERIA		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	796K
描述
PNP general-purpose double transistorsProduction

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BCV62B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	其他特性：	FOR TRANSISTOR2 HFE IS 220
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	CURRENT MIRROR
最小直流电流增益 (hFE)：	220	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCV62B 数据手册

BCV62

PNP general-purpose double transistors

Rev. 4 — 26 July 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

Nexperia

SOT143B

NPN complement

JEITA

BCV62

BCV61

BCV62A

BCV62B

BCV62C

BCV61A

BCV61B

BCV61C

1.2 Features and benefits

Low current (max. 100 mA)

Low voltage (max. 30 V)

Matched pairs

AEC-Q101 qualified

Small SMD plastic package

1.3 Applications

Applications with working point independent of temperature

Current mirrors

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Per transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_Ccollector current

Transistor TR1

h_FEDC current gain

open base

−30

−100 mA

V_CE= −5 V; I_C= −100 μA

V_CE= −5 V; I_C= −2 mA

100

800

12 3 4 5 6 7...14

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BCV62B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCV62	NXP	类似代替	PNP general purpose double transistor
BCV62A	NXP	类似代替	PNP general purpose double transistor
BCV62B	NXP	类似代替	PNP general purpose double transistor

与BCV62B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCV62B,215	NXP	获取价格	BCV62 - PNP general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin
BCV62B,235	ETC	获取价格	TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B
BCV62B/T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR SOT-23
BCV62B/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General
BCV62B-E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCV62B-E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCV62BE6433HTMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
BCV62BT/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| BLDG BLOCK \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-143
BCV62B-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCV62B-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa

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