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BCR164T

更新时间: 2024-11-24 22:48:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 176K
描述
PNP Silicon Digital Transistor

BCR164T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-75包装说明:SC-75, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):160 MHzBase Number Matches:1

BCR164T 数据手册

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BCR164...  
PNP Silicon Digital Transistor  
Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
Built in bias resistor (R = 4.7k, R = 10k)  
1
2
BCR164F/L3  
BCR164T  
C
3
R1  
R2  
1
2
B
E
EHA07183  
Type  
Marking  
U6s  
U6  
Pin Configuration  
Package  
BCR164F*  
BCR164L3*  
BCR164T*  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TSFP-3  
TSLP-3-4  
SC75  
U6s  
* Preliminary  
Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on voltage  
Symbol  
Value  
50  
50  
Unit  
V
V
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
i(on)  
5
15  
100  
mA  
Collector current  
I
C
mW  
Total power dissipation-  
P
tot  
BCR164F, T 128°C  
250  
250  
250  
S
BCR164L3, T 135°C  
S
BCR164T, T 109°C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
j
T
-65 ... 150  
stg  
Sep-03-2003  
1

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