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BCR164F

更新时间： 2024-11-20 22:48:15

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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6页	176K
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PNP Silicon Digital Transistor

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BCR164F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSFP-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz

BCR164F 数据手册

BCR164...

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 4.7kΩ , R = 10kΩ )

BCR164F/L3

BCR164T

R₁

R₂

EHA07183

Type

Marking

U6s

Pin Configuration

Package

BCR164F*

BCR164L3*

BCR164T*

1=B 2=E 3=C

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

U6s

* Preliminary

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

i(on)

100

Collector current

Total power dissipation-

tot

BCR164F, T ≤ 128°C

250

BCR164L3, T ≤ 135°C

BCR164T, T ≤ 109°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Sep-03-2003

12 3 4 5 6

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