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BCR162T

更新时间: 2024-11-20 22:48:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 187K
描述
PNP Silicon Digital Transistor

BCR162T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-75包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.71
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

BCR162T 数据手册

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BCR162...  
PNP Silicon Digital Transistor  
Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
Built in bias resistor (R = 4.7k, R = 4.7k)  
1
2
BCR162/F/L3  
BCR162T  
C
3
R1  
R2  
1
2
B
E
EHA07183  
Type  
BCR162  
BCR162F  
BCR162L3  
BCR162T  
Marking  
WUs  
WUs  
WU  
WUs  
Pin Configuration  
Package  
1=B  
1=B  
1=B  
1=B  
2=E 2=C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23  
TSFP-3  
TSLP-3-4  
SC75  
2=E 2=C  
2=E 2=C  
2=E 2=C  
Aug-29-2003  
1

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