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BCR119S

更新时间： 2024-11-17 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关数字晶体管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

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BCR119S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：SOT-363
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.43
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

BCR119S 数据手册

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BCR 119S  
NPN Silicon Digital Transistor Array  
• Switching circuit, inverter, interface circuit,  
driver circuit  
• Two (galvanic) internal isolated Transistors  
in one package  
Ω
• Built bias resistor (R =4.7k )  
1
Type  
Marking Ordering Code Pin Configuration  
Package  
BCR 119S WKs  
Q62702-C2415 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Input on Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
V
i(on)  
50  
V
50  
5
15  
DC collector current  
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
Total power dissipation, T = 115°C  
P
250  
S
tot  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
j
- 65 ... + 150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
≤
Junction ambient  
R
R
275  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
≤ 140  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Dec-18-1996  
1234

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