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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-73 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.09 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP69-25-AA3-B-R | UTC |
获取价格 |
NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
|
| BCP69-25-AA3-C-R | UTC |
获取价格 |
NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
|
| BCP69-25-AA3-E-R | UTC |
获取价格 |
NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
|
| BCP69-25-AA3-F-R | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| BCP69-25E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| BCP6925E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP69-25E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
|
| BCP6925H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP69-25T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BIP General P |
|
| BCP69-25TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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