是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-261AA | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JEDEC-95代码: | TO-261AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 1.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 130 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BCP56T1G | ONSEMI |
完全替代 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor | |
BCP56-16T3G | ONSEMI |
完全替代 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor | |
BCP56-10T1G | ONSEMI |
完全替代 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BCP56-16T3G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor | |
BCP5616TA | DIODES |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 | |
BCP56-16TA | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 | |
BCP56-16-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | |
BCP56-16-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | |
BCP5616TC | DIODES |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 | |
BCP56-16TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 | |
BCP56-16TF | ETC |
获取价格 |
BCP56-16T/SOT223/SC-73 | |
BCP5616TQ | DIODES |
获取价格 |
NPN, 80V, 1A, SOT223 | |
BCP56-16T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |