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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.58 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BCP5416H6327XTSA1 | INFINEON | Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT223, 4 PIN |
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| BCP54-16H6433TR | INFINEON | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BCP5416H6433XTMA1 | INFINEON | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BCP5416Q | DIODES | NPN, 45V, 1A, SOT223 |
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| BCP54-16Q | YANGJIE | SOT-223 |
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| BCP54-16-Q | NEXPERIA | 45 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
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