5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.07 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCP54-16 | NEXPERIA |
类似代替  |
45 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
|
| BCP54 | ONSEMI |
功能相似 |
NPN 通用放大器 |
|
| BCP54,135 | NXP |
功能相似 |
45 V, 1 A NPN medium power transistor SC-73 4-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP54-10,135 | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 45V 1A SOT223 |
|
| BCP54-10E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCP54-10E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| BCP54-10-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
|
| BCP54-10T | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
|
| BCP54-10T/R | DIOTEC |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BCP5410TA | DIODES |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
|
| BCP54-10TA | DIODES |
获取价格 |
1A, 45V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BCP54-10TA | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP54-10-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
