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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.31 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BCP53E6327 | ROCHESTER | 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| BCP53E6327 | INFINEON | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCP53E6433 | INFINEON | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCP53F | ETC | BCP53/SOT223/SC-73 |
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| BCP53H | NEXPERIA | 80 V, 1 A PNP medium power transistors |
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| BCP53H-Q | NEXPERIA | 80 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction |
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