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BCP53

更新时间： 2024-01-24 14:13:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器
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6页	194K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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BCP53 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-73
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	1.51	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	63
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

BCP53 数据手册

BCP53

SOT-223

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed for general purpose medium power

amplifiers and switching circuits requiring collector currents

to 1.0 A. Sourced from Process 78. See BCP52 for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

100

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

1.2

-55 to +150

°C

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

BCP53

P_D

Total Device Dissipation

1.5

mW/ C

Derate above 25 C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

83.3

R_θ

°C/W

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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